大家好，今天小编来为大家解答【中国逻辑芯片、NAND闪存，DRAM内存，全部突破美国封锁层】这个问题，很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

众所周知，美国打压中国芯片产业，是有明确目标的。

一是锁死逻辑芯片在14nm，二是锁死NAND闪存在128层，三是锁死DRAM内存在18nm，不允许中国的技术进入美国的封锁层之下。

为此，美国更是联合日本、荷兰等，对先进的半导体设备进行封锁，任何可以制造封锁层下面的设备，都禁运……

不过，从现在的情况来看，美国设的这个封锁，全部被中国突破了。

先说逻辑芯片方面，美国是想要锁死在14nm工艺，但实际上呢，早就突破了。

具体的东西不太好细说，毕竟中芯国际下线了关于14nm FinFET技术的介绍，但大家想一想麒麟900S、麒麟9010、麒麟9020这三颗芯片，就明白我们绝不可能是14nm，具体是多少，大家应该心中有数吧，肯定是低于14nm的……

再看NAND闪存芯片，也就是大家熟悉的，用于SSD硬盘产品的芯片，美国的目标是锁死我们在128层，不再前进。

长存早在2022年就量产了232层的NAND芯片，并且是全球第一家量产232层NAND芯片的厂商，后来美国打压长存。

但据媒体的消息，目前长存使用国产应链，也实现了160层的NAND闪存产品，并且从存储密度来看，达到了12.66 Gb/mm2，不输三星、美光等国际大厂。

再看DRAM内存方面，美国的目标锁死在18nm工艺，不能再前进。

事实上18nm工艺，也就是DDR4的水平，不准再进入DDR5，因为进入DDR5的话，就要突破18nm工艺了。

而近日，韩国媒体ZDNet Korea报道称，中国DRAM芯片大厂长存（CXMT）已经量产了DDR5内存芯片。

而TechInsights 的 Jeongdong Choi 博士说则称，这款DDR5 的开发是使用 G3 工艺（线宽 17.5 nm）进行的，明显也是突破了18nm了。

可见，越是打压，中国芯片产业进步越快，美国想要封锁的三个方向，被我们都突破了。

而按照网友们的说法，一旦中国掌握的技术，那么将迅速变成白菜价，所以接下来不知道那些国际大厂，准备好迎接中国厂商的冲击了么？

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