2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花？

在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做CoolSiC MOSFET G2的另一项优势在于它更加坚固耐用。作为1200V电压等级功率器件的特性之一，CoolSiC MOSFET G2的最大工作结温从过去的175摄氏度提高到了200摄氏度，这意味着客户有了更大的灵活性，可以在过载条件下进行开发设计。与前几代产品相比，采用CoolSiC MOSFET G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC MOSFET G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC MOSFET G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低成本。

踏“绿”前行“碳”新路，精“工”强“基”创未来。英飞凌将继续加强与本土市场的融合，以创新的技术优势、卓越的产品质量、稳健的运营模式赋能客户，做能源全链条的关键赋能者，成为首选的零碳技术创新伙伴。